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論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードの 高耐圧化に関する研究
著者	著者名 金澤, 翔
	著者名 KANAZAWA, Sho
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00014168
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	58
開始ページ	1
終了ページ	4
発行年	2017-03-31
著者版フラグ	Version of Record
内容記述	ヘッダー部分に誤記 ; (誤) 法政大学大学院理工学・工学研究科紀要 (正) 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
抄録	Mesa-structured p-n diode on a GaN substrate was investigated. The breakdown voltage of the diode does not depend on the distance between the end of the mesa edge and that of the electrode. However, it was found that the distance over 2 μm was necessary to prevent the damage of dry etching. Leakage current of the diode with KNN protection films and TiAl electrodes was drastically reduced when diode was annealed at a temperature of 300 C.
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 58

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