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14R3137松村隆志	pdf	663 KB	112

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	断続的TEOS導入MOCVD法によるCeO_2/SiO_2複合酸化膜の堆積
その他のタイトル	DEPOSITION OF CeO_2/SiO_2 FILM BY MOCVD WITH INTERMITTENT TEOS INTRODUCTION
著者	著者名 松村, 隆志
	著者名 MATSUMURA, Takashi
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00013057
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	57
開始ページ	1
終了ページ	3
発行年	2016-03-24
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	High-k
	MOCVD
	CeO 2
	silicate
内容記述	ヘッダー部分に誤記 ; (誤) 法政大学大学院理工学・工学研究科紀要 (正) 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
抄録	Mixed oxide compound films of CeO_2 and SiO_2 were deposited by MOCVD using Ce(OCEt2 Me) 4 and TEOS (tetraethyl orthosilicate) as the source materials. Oxide film deposition occurred only with the intermittent introduction of TEOS source. The XPS analyses revealed that Si existed mainly as the silicate phase and uniformly distributed along the depth in the film. The amount of Si in the deposited film was not affected by the duration time of TEOS introduction. From the results of XRD and XTEM, the crystallization of the CeO_2 film was suppressed by mixing SiO_2 even after the post-annealing at 500 °C.
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 57

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