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14R3115椎名裕亮	pdf	318 KB	211

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	SiC基板上へのグラフェン膜形成とデバイス特性
その他のタイトル	GRAPHENE GROWN ON SiC SUBSTRATES AND DEVICES CHARACTERISTICS
著者	著者名 椎名, 裕亮
	著者名 SHIINA, Yusuke
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00013033
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	57
開始ページ	1
終了ページ	3
発行年	2016-03-24
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	graphene
	SiC
	CF4 plasma
内容記述	ヘッダー部分に誤記 ; (誤) 法政大学大学院理工学・工学研究科紀要 (正) 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
抄録	We investigated the epitaxial graphene films grown on SiC with CF4 plasma treatment and examined basic study of graphene devices. The surface roughness of the graphene films is reduced from 1.38nm RMS to 0.53nm RMS and carrier mobility of the graphene films is increased from 320cm2/Vs to 1960cm2/Vs by CF4 plasma treatment, respectively. Raman mapping (2D-FWHM) showed that the epitaxial graphene grown on SiC treated by CF4 plasma was more homogeneous than the one without CF4 plasma treatment. The epitaxial graphene devices on SiC exhibited the ambipolar characteristics.
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 57

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