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k_R015IEICE06	pdf	87.1 KB	70

論文情報

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アイテムタイプ	会議発表論文
タイトル	超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化
著者	著者名 中村, 徹
	著者名 鷲尾, 勝由
	著者名 本間, 紀之
	著者名 NAKAMURA, Tohru
	著者名 WASHIO, Katsuyoshi
	著者名 HOMMA, Noriyuki
言語	jpn
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
号	2
開始ページ	72
終了ページ	72
発行年	1995-09-05
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	シリコンバイポーラデバイス
	高速性
	10ps/G
抄録	シリコンバイポーラデバイスは、大型計算機や高速光伝送用集積回路等、高速性を重視した応用分野に主として用いられてきた。図1はシリコンバイポーラデバイスで構成したECL回路の遅延時間のトレンドである。現在では回路の遅延時間10ps/G台の性能が得られており、開発を続行することにより更なる高速化が達成できると予想される。近年、高速性能を特徴とする製品分野においても低消費電力化が必要とされている。本報告では、超高速シリコンバイポーラデバイスの低消費電力化について発表する。
会議記述	会議名：電子情報通信学会1995年ソサイエティ大会, 1995.9.5-8
	開催地：中央大学理工学部(東京都文京区)
権利	Copyright (C) 1995, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10489017
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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