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k_R015IEICE05	pdf	524 KB	75

論文情報

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アイテムタイプ	テクニカルレポート
タイトル	超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
その他のタイトル	Ultra-high-speed Small-scaled InGaP/GaAs HBT's and their Circuit Applications
著者	著者名 岡, 徹
	著者名 平田, 宏治
	著者名 大内, 潔
	著者名 内山, 博幸
	著者名 谷口, 隆文
	著者名 望月, 和浩
	著者名 中村, 徹
	著者名 OKA, Tohru
	著者名 HIRATA, Koji
	著者名 OUCHI, Kiyoshi
	著者名 UCHIYAMA, Hiroyuki
	著者名 TANIGUCHI, Takafumi
	著者名 MOCHIZUKI, Kazuhiro
	著者名 NAKAMURA, Tohru
言語	jpn
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
	電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
号	523
開始ページ	1
終了ページ	6
発行年	1999-01-20
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	HBT
	InGaP
	GaAs
	SiO_2
	分周器
内容記述	信学技報 Technical Report of IEICE. ED98-183, MW98-146, ICD98-250
抄録	外部コレクタ寄生領域がSiO_2で埋め込まれた構造を有する微細InGaP/GaAs HBTの高速動作性能を向上させるため, プロセスの改良およびデバイス構造の最適化を行った。埋め込みSiO_2領域で生じる寄生容量は従来比で約50%低減することができ, 単体の素子の性能としては, エミッタサイズS_E=0.5×4.5μm^2の素子においてコレクタ電流I_C=3.5mAで遮断周波数f_T=156GHz, 最大発振周波数f_<max>=255GHzを, またS_E=0.25×1.5μm^2の素子ではI_C=0.9mAでf_T=114GHz, f_<max>=230GHzをそれぞれ達成した。この微細HBTを用いて作製した1/8分周器は消費電力190mW/FFにおいて39.5GHzの分周動作を達成した。
	We have achieved advanced high-frequency performance in small-scaled InGaP/GaAs HBT's due to the further reduction of the parasitic capacitance by refining the device design and the process technology. An f_T of 156 GHz and f_<max> of 255 GHZ were achieved for an HBT with an emitter size S_E of 0.5×4.5μm^2 at a collector current I_C of 3.5 mA, and an HBT with S_E of 0.25×1.5μm exhibite f_T of 114 GHz and f_<max> of 230 GHz at I_C of 0.9 mA. A 1/8 static frequency divider using these HBT's operated at a maximum toggle frequency of 39.5 GHz with power consumption per flip-flop of 190 mW.
権利	Copyright (C) 1999, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10013276
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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