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no.35_05	pdf	389 KB	7

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	Mgイオン注入によるGaNのp型層形成に関する研究
著者	著者名 及川, 拓弥
	著者名 三島, 友義
	著者名 中村, 徹
言語	jpn
ISSN	02860201
DOI	https://doi.org/10.15002/00030317
出版者	法政大学イオンビーム工学研究所
雑誌名	法政大学イオンビーム工学研究所報告
	Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
巻	35
開始ページ	18
終了ページ	20
発行年	2016-02-15
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	Mgイオン注入
	GaN
抄録	GaN基板とサファイア基板上GaNのMg注入層の比較を行ったところ、GaN基板上GaNのMg注入層の方が光学的、電気的に良好な結果を得ることが出来た。格子欠陥はイオン注入によるp型層形成の妨げになることがわかった。以上の事よりイオン注入によりp型層を形成する為にはGaN基板を用いることと、注入後の熱処理として1230℃以上で行う必要がある事が解った。
資源タイプ	Article
インデックス	資料タイプ別 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告
	216 イオンビーム工学研究所 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告 ＞ 35

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