閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
no.38_01	pdf	1.20 MB	16

論文情報

ファイル出力

アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	Al/Ti電極を用いたSi注入GaNの低抵抗化と構造分析
著者	著者名 西村, 智朗
	著者名 葛西, 武
	著者名 三島, 友義
	著者名 栗山, 一男
	著者名 中村, 徹
言語	jpn
ISSN	02860201
DOI	https://doi.org/10.15002/00030284
出版者	法政大学イオンビーム工学研究所
雑誌名	法政大学イオンビーム工学研究所報告
	Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
巻	38
開始ページ	3
終了ページ	6
発行年	2019-02-20
著者版フラグ	Version of Record
抄録	150keVのSiを5×10^13から5×10^14 atoms/cm^2打ち込んで作られたn-GaN基板上にAl（200 nm）/Ti（50 nm）電極を蒸着し活性化率やコンタクト抵抗が測定された。活性化率はSi注入量が5×10^13から5×10^14 atoms/cm^2へ増加するのに伴って20%から40%に増加した。またコンタクト抵抗については、Si注入量が5×10^13から5×10^14 atoms/cm^2へ増加するのに伴って2.4×10^−6から1.2×10^−7Ωcm^2へ減少した。これらの結果はGaNへのSi注入の結果として形成される表面不純物の高濃度層の生成が効果的にAl/Ti電極の接触抵抗を低減させることを示している。またAl/Ti比の異なる電極やアニール温度の違いによる電極構造の変化についても分析した。結果として比較的低温アニール条件（550-600℃）でもGaはAl/Ti電極内に拡散し、またAl/Ti電極はTiAlx合金になることが示された。TEMの格子像のFFT分析やEELS分析から、TiAlx合金とGaN基板との間に1から2nm程度のAlN層が存在することを明らかにした。RBS分析からはAl/Ti電極はおおよそ5×10^15 atoms/cm^2のGaを含むことが分かった。TiAl合金が出来た後に残ったAlは基板GaNと反応し、結果として電極とGaN界面にAlNが形成され、その際に5×10^15 atoms/cm^2のGaを放出する。このGa量に対応する窒素がAlN形成に使われたとすると対応するAlN層の厚みはおおよそ1nmである。この結果はHR-STEMやEELSの結果とも良く一致している。更にGaリッチな領域がAlNとTiAl合金の間にも粒界拡散の結果として観測された。
資源タイプ	Article
インデックス	資料タイプ別 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告
	216 イオンビーム工学研究所 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告 ＞ 38

ホームへ戻る