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no.39_01	pdf	3.01 MB	108

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	デバイス試作によるワイドギャップ半導体評価
著者	著者名 三島, 友義
言語	jpn
ISSN	02860201
DOI	https://doi.org/10.15002/00030277
出版者	法政大学イオンビーム工学研究所
雑誌名	法政大学イオンビーム工学研究所報告
	Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
巻	39
開始ページ	25
終了ページ	42
発行年	2020-02-17
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	GaN
	PNダイオード
抄録	・低転位密度GaN基板を用いることによるPNダイオードの特性改善効果 ・GaNのウエットエッチング技術の開発とデバイス製造プロセスへの応用 ・フォトンリサイクリング効果～低転位化によってもたらされるオン抵抗の低減理由
資源タイプ	Article
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