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no.40_01	pdf	1.37 MB	83

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	高破壊耐量GaN p-n接合ダイオードの研究
著者	著者名 太田, 博
	著者名 浅井, 直美
	著者名 三島, 友義
	著者名 Ohta, Hiroshi
	著者名 Asai, Naomi
	著者名 Mishima, Tomoyoshi
言語	jpn
ISSN	02860201
DOI	https://doi.org/10.15002/00025825
出版者	法政大学イオンビーム工学研究所
雑誌名	法政大学イオンビーム工学研究所報告
	Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
巻	40
開始ページ	14
終了ページ	17
発行年	2021-02-26
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	GaN
	p-n接合ダイオード
抄録	高耐圧・低オン抵抗GaNパワーダイオードの課題とされた高破壊耐量（可逆特性）の獲得を２段メサ構造の考案と適用により実現した。本研究は従来にない高い変換効率と優れた信頼性を有する電力変換システムの構築に寄与できるものである。
資源タイプ	Article
インデックス	資料タイプ別 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告
	216 イオンビーム工学研究所 ＞ 紀要 ＞ 法政大学イオンビーム工学研究所報告 ＞ 40

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