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論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の直接観察法に関する研究
その他のタイトル	STUDY ON DIRECT OBSERVATION OF CURRENT CROWDING AREA IN VERTICAL GAN P-N JUNCTION DIODES
著者	著者名 林, 賢太郎
	著者名 HAYASHI, Kentaro
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00021570
出版者	法政大学大学院理工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	59
開始ページ	1
終了ページ	4
発行年	2018-03-31
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	GaN
	p-n Diode
内容記述	ヘッダー部分に誤記 ; (誤) 法政大学大学院理工学・工学研究科紀要 (正) 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
抄録	This paper describes EL intensity mapping on a p-n junction plane of vertical GaN diodes under forward biased conditions for the first time. By this mapping, it is found that current crowding has existed corresponding to naturally formed surface stripes on epitaxial layers grown on freestanding GaN substrates. Detailed analyses by AFM and TOF-SIMS clarify that concentration of doped Mg acceptors on one slope of the stripe was higher than that on the other slope. The higher Mg-concentration region should have lower electric resistances, which would cause the current crowding. By improving the surface flatness, the current crowding is suppressed and a low specific on-resistance is obtained.
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 59

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