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論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	MOCVD 法により形成した CeO2-SiO2複合酸化物薄膜の特性
著者	著者名 古矢, 智也
	著者名 Furuya, Tomoya
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00014191
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	58
開始ページ	1
終了ページ	4
発行年	2017-03-31
著者版フラグ	Version of Record
内容記述	ヘッダー部分に誤記 ; (誤) 法政大学大学院理工学・工学研究科紀要 (正) 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
抄録	The compound oxide was deposited on p-type Si (100) substrates by pyrolytic MOCVD with the intermittent introduction of TEOS (TetraEthoxyOrthoSilicate) for 10 sec every 3, 5, or 10 min. No SiO2 interfacial layer was observed in the sample with TEOS introduction for 10 sec per 3 min. The amount of Si in the film with TEOS introduction for 10 sec per 3 min was higher than other sample. Cerium silicate formation in the film prepared with TEOS introduction was confirmed. The leakage current density was attributed to the band gap of the film. The relative dielectric constant ranged between 16.6 and 21.6 depending on the TEOS introduction interval. Key Words : high-k, MOCVD, CeO2, SiO2
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 58

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