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論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	モリブデンゲートGaN-MISFETを用いたE/Dインバータ回路に関する研究
その他のタイトル	Study about Circuit of E/D Inverter using Molybdenum gate GaN MISFET
著者	著者名 伊藤, 駿一
	著者名 ITO, Shunichi
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00011084
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	56
開始ページ	1
終了ページ	4
発行年	2015-03-24
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	MISFETT
	Circuit of Inverter
内容記述	法政大学 大学院理工学研究科編 2014年度 修士課程 電気電子工学専攻
抄録	The Mg density of the substrate is 2×10^18 cm-3, and the biggest drain current is 0.025mA/mm and 1.5mA/mm at gate voltage 6V and drain voltage 5V respectively from the drain current of the Enhancement type MISFET and the depression type MISFET- drain voltage special quality, and a device was the result which isn't moving. Gate disconnected the MISFET because it is not observed modulation, it was found that the gate voltage is not added, for preventing the disconnection of the gate electrode from this, it was studied the MESA creation process. The results of the study, when depositing a metal mask by E-GUN vacuum deposition apparatus, rate deposited while increasing the rate of 0.1nm / sec to 0.8nm / sec gradually, The ICP dry etching apparatus in etching conditions 0.7Pa by forming the MESA structure is used, it was possible to prevent breakage.
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 56

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