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12r3101青柳拓也	PDF	808 KB	495

論文情報

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アイテムタイプ	紀要論文
タイトル	Siイオン注入GaN HEMTの高性能化に関する研究
その他のタイトル	HIGH BREAKDOWN VOLTAGE OF GaN HEMT WITH FIELD PLATE STRUCTURE
著者	著者名 青柳, 拓也
	著者名 AOYAGI, Takuya
言語	jpn
ISSN	21879923
DOI	https://doi.org/10.15002/00010399
出版者	法政大学大学院理工学・工学研究科
雑誌名	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
巻	55
開始ページ	1
終了ページ	3
発行年	2014-03-24
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	GaN
	ion-implanted
	HEMT
	field plate
抄録	I fabricated the ion implantation GaN HEMT with field plate structure. Breakdown voltage of 320V was obtained breakdown voltage characteristics are improved by using a field plate structure in the device of Lgd=10μm. In addition, the breakdown voltage characteristics are deteriorated field plate edge is close to the ion implanted region. gFP=3~6μm was optimal in the device of Lgd=10μm
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AA12677220
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学内論文 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編
	501 学内論文 ＞ 紀要 ＞ 法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編 ＞ 55

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