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k_R036JEICE31	pdf	110 KB	59

論文情報

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アイテムタイプ	会議発表論文
タイトル	瞬間気相ドーピング法を用いた100 GHz Siバイポーラ技術
その他のタイトル	100-GHz Si Bipolar Technology using Rapid Vapor-phase Doping
著者	著者名 清田, 幸弘
	著者名 大植, 栄司
	著者名 尾内, 享裕
	著者名 鷲尾, 勝由
	著者名 田邊, 正倫
	著者名 稲田, 太郎
	著者名 KIYOTA, Yukihiro
	著者名 OHUE, Eiji
	著者名 ONAI, Takahiro
	著者名 WASHIO, Katsuyoshi
	著者名 TANABE, Masamichi
	著者名 INADA, Taroh
言語	jpn
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会総合大会講演論文集
号	2
開始ページ	110
終了ページ	110
発行年	1997-03-06
著者版フラグ	Version of Record
抄録	10 Gb/s以上の高速光伝送用Siバイポーラトランジスタには遮断周波数のみならず最大発振周波数の向上が要求されている。我々は自己整合金属/IDP技術(SMI: Self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)を用いたトランジスタの特性を報告してきた。今回はSMIトランジスタのベース層を瞬間気相ドーピング法(RVD: Rapid Vapor-phase Doping)によって形成し, 超高速動作を達成したので報告する
会議記述	会議名：電子情報通信学会1997年総合大会, 1997.3.24-27
	開催地：関西大学千里山キャンパス(大阪府吹田市)
権利	Copyright (C) 1997, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10471452
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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