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k_R036JEICE30	pdf	398 KB	84

論文情報

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アイテムタイプ	テクニカルレポート
タイトル	SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
その他のタイトル	Effect of pre-cleaning of SiGe selective epitaxial growth on HBT characteristics
著者	著者名 清田, 幸弘
	著者名 小田, 克矢
	著者名 大植, 栄司
	著者名 速水, 礼子
	著者名 近藤, 将夫
	著者名 鷲尾, 勝由
	著者名 田邊, 正倫
	著者名 島本, 裕巳
	著者名 山口, 修
	著者名 稲田, 太郎
	著者名 KIYOTA, Yukihiro
	著者名 ODA, Katsuya
	著者名 OHUE, Eiji
	著者名 HAYAMI, Reiko
	著者名 KONDO, Masao
	著者名 WASHIO, Katsuyoshi
	著者名 TANABE, Masamichi
	著者名 SHIMAMOTO, Hiromi
	著者名 YAMAGUCHI, Osamu
	著者名 INADA, Taroh
言語	jpn
ISSN	09135685
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
号	374
開始ページ	39
終了ページ	43
発行年	2000-10-13
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	UHVCVD
	SiGe選択エピタキシャル成長
	H_2アニール
	HBT
抄録	UHVCVDによるSiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法として, 大流量H_2アニール, 高真空アニール, Si_2H_6によるガスエッチを検討した。その結果, 基板表面の酸素, 炭素, ボロンなどを完全に除去するためにはH_2アニールが必須であることがわかった。高真空アニールやSi_2H_6ガスエッチではコレクタ電流にリークが起こりやすいが, H_2アニールを行えばその問題が無く, 電気的にも良好な結晶が成長できていることがわかった。基板表面清浄化にH_2アニールを用いることでSiGeHBTの歩留まりが大きく向上することを明らかにした。
	Hydrogen annealing, Si_2H_6 gas etching, and vacuum annealing were applied to pre-cleaning of SiGe selective epitaxial growth by UHVCVD. It was clarified that H_2 annealing was necessary to completely remove contamination such as oxide, carbon, and boron at the interface. SiGe HBTs with Si_2H_6 gas etching, and vacuum annealing tended to show leaky collector current, however, those with H_2 annealing overcome the problem. Good crystallinity of the epitaxlal layers with the H_2 annealing increases the yield of HBTs.
権利	Copyright (C) 2000, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10013254
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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