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学術雑誌論文
人文科学
社会科学
自然科学
このアイテムのアクセス数:
60
件
(
2024-07-27
16:38 集計
)
Permalink : https://hdl.handle.net/10114/4530
閲覧可能ファイル
ファイル
フォーマット
サイズ
閲覧回数
説明
k_R015IEICE04
pdf
459 KB
80
論文情報
ファイル出力
アイテムタイプ
テクニカルレポート
タイトル
100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
その他のタイトル
A 50-nm CMOS Technology for High-speed, Low-Power, and RF Applications in 100-nm node SoC Platform
著者
著者名
大西, 和博
著者名
土屋, 龍太
著者名
山内, 豪
著者名
大塚, 文雄
著者名
満田, 勝弘
著者名
長谷, 昌俊
著者名
中村, 徹
著者名
川原, 尊之
著者名
尾内, 享裕
著者名
OHNISHI, Kazuhiro
著者名
TSUCHIYA, Ryuta
著者名
YAMAUCHI, Takeshi
著者名
OOTSUKA, Fumio
著者名
MITSUDA, Katsuhiro
著者名
HASE, Masatoshi
著者名
NAKAMURA, Tohru
著者名
KAWAHARA, Takayuki
著者名
ONAI, Takahiro
言語
jpn
ISSN
09135685
出版者
電子情報通信学会
雑誌名
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
号
573
開始ページ
25
終了ページ
30
発行年
2002-01-15
著者版フラグ
Version of Record
キーワード
CMOS
低電力
RF
オフセットソース
ドレイン
超急峻チャネル
移動度
1
fノイズ
内容記述
信学技報 Technical Report of IEICE. SDM2001-216
抄録
100nm世代のSoC(Silicon-on-a-chip)プラットフォームに向けて、高速および低電力/RF用途対応のCMOS技術を開発した。本CMOSデバイスの特徴は、オフセットソース/ドレイン構造と超急峻チャネル(SSC : Super Steep Channel)構造である。オフセットソース/ドレイン構造は、より微細なゲート長のデバイスを駆動電流を減少させることなく動作させることができる。SSC構造は、従来のhalo構造に比べてキャリア移動度が向上し、特に低電圧領域での電流特性が改善する。また、1/fノイズの原因となるゲート絶縁膜のダメージも低減でき、特に短チャネルデバイスでの1/fノイズ特性が向上する。
We have developed 100-nm node CMOS platform mixed with high performance and low-power/RF applications. This platform is featured by an Offset Source/Drain structure for gate length reduction without reducing drive current, and by a SSC (Super Steep Channel) profile for improving low-power/RF performance in terms of carrier mobility and 1/f noise. The SSC structure is inherently superior to the halo profile owing to lower doping concentration both at channel region and at gate edge region. Reduced gate oxide damage achieved by SSC scheme was also verified to be preferable for RF application.
権利
Copyright (C) 2002, IEICE
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ
Article
書誌レコードID
AN10013254
インデックス
資料タイプ別
 > 
学術雑誌論文
 > 
自然科学
301 学術雑誌論文
 > 
自然科学
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