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k_R015IEICE03	pdf	329 KB	71

論文情報

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アイテムタイプ	テクニカルレポート
タイトル	AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
その他のタイトル	Surface passivation dependency of 1/f noise characterization in AlGaN/GaN HEMT
著者	著者名 松島, 孝典
	著者名 中嶋, 正裕
	著者名 野本, 一貴
	著者名 佐藤, 政孝
	著者名 中村, 徹
	著者名 MATSUSHIMA, Takanori
	著者名 NAKAJIMA, Masahiro
	著者名 Nomoto, Kazuki
	著者名 SATOH, Masataka
	著者名 NAKAMURA, Tohru
言語	jpn
ISSN	09135685
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
巻	106
号	379
開始ページ	27
終了ページ	31
発行年	2006-11-17
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	AlGaN
	GaN HEMT
	1
	f雑音
	表面保護膜
	PECVD
	スパッタ
	1/f noise
	Surface Passivation
	Spatter
内容記述	信学技報 Technical Report of IEICE. R2006-36,ED2006-181,SDM2006-199
抄録	AlGaN/GaN HEMTの電気特性は表面保護膜の種類や膜厚によって大きく影響を受けることが知られている。本研究では、AlGaN/GaN HEMTにおける表面保護膜が1/f雑音に与える影響を調べた。表面保護膜SiN膜の成長条件が1/f雑音特性におよぼす影響を評価・検討した。スパッタ法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスに比べ、PECVD法で形成した表面保護膜が堆積されたデバイスの方が入力換算ドレイン電流ノイズスペクトル密度Svgが約半分に低減できた。
	It is known that an electric characteristic of AlGaN/GaN HEMT is greatly influenced according to the kind and the film thickness of the surface passivation. In this research, the influence that the surface passivation in AlGaN/GaN HEMT gave to 1/f noise was examined. The influence that the growth condition of surface passivation (SiN film) exerted on 1/f noise characteristic was evaluated and examined. The device where the surface protection film formed by the PECVD method piles up was able to be decreased compared with the device where the surface passivation formed by the spatter method piles up and to decrease input conversion drain current spectrum density Svg to about the half.
権利	Copyright (C) 2006, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10013254
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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