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k_R015IEICE02	pdf	418 KB	87

論文情報

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アイテムタイプ	テクニカルレポート
タイトル	低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
その他のタイトル	Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current
著者	著者名 野本, 一貴
	著者名 田島, 卓
	著者名 三島, 友義
	著者名 佐藤, 政孝
	著者名 中村, 徹
	著者名 Nomoto, Kazuki
	著者名 Tajima, Taku
	著者名 Mishima, Tomoyoshi
	著者名 Satoh, Masataka
	著者名 Nakamura, Tohru
言語	jpn
ISSN	09135685
出版者	電子情報通信学会
雑誌名	電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
	電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
号	95
開始ページ	71
終了ページ	74
発行年	2007-06-08
著者版フラグ	Version of Record
キーワード	窒化ガリウム
	イオン注入
	高電子移動度トランジスタ
内容記述	信学技報 Technical Report of IEICE. ED2007-44 (2007.06)
抄録	本研究では低ゲートワーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGaN/GaNのソース・ドレイン電極下に選択的に高濃度イオン注入を行いオン抵抗の低減を図った。また同時に、直流特性の評価も行った。注入エネルギー80keV、実効注入量1.0×10^<15>/cm^2のときイオン注入を行っていないものと比べて、オン抵抗は26.2から4.2Ω・mmと減少した。このとき、最大飽和電流、相互コンダクタンスはそれぞれ284から723mA/mm、48から147mS/mmへと増加した。
	We were demonstrated the realization of compatibility of extremely low gate leakage current and low source resistance with Si ion-implanted GaN/AlGaN/GaN surface-stabilized high-electron mobility transistor (HEMT) without any recess etching process. The source/drain regions were formed using Si ion implantation into undoped GaN/AlGaN/GaN on sapphire substrate. Using ion implantation into source/drain regions with energy of 80 keV, the performances were significantly improved. On-resistance reduced from 26.2 to 4.2 Ω・mm. Saturation drain current and maximum transconductance increased from 284 to 723 mA/mm and from 48 to 147 mS/mm.
権利	Copyright (C) 2007, IEICE
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ	Article
書誌レコードID	AN10012954
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学術雑誌論文 ＞ 自然科学
	301 学術雑誌論文 ＞ 自然科学

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