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学術雑誌論文
人文科学
社会科学
自然科学
このアイテムのアクセス数:
63
件
(
2024-10-06
18:21 集計
)
Permalink : https://hdl.handle.net/10114/4514
閲覧可能ファイル
ファイル
フォーマット
サイズ
閲覧回数
説明
k_R015IEICE01
pdf
445 KB
83
論文情報
ファイル出力
アイテムタイプ
テクニカルレポート
タイトル
Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
その他のタイトル
Electrical Properties of Al Ion Implanted 4H-SiC Layer
著者
著者名
佐藤, 政孝
著者名
宮川, 晋悟
著者名
工藤, 尚宏
著者名
永田, 翔平
著者名
田島, 卓
著者名
中村, 徹
著者名
Satoh, Masataka
著者名
Miyagawa, Shingo
著者名
Kudoh, Takahiro
著者名
Tajima, Taku
著者名
Nakamura, Tohru
言語
jpn
ISSN
09135685
出版者
電子情報通信学会
雑誌名
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
号
95
開始ページ
75
終了ページ
78
発行年
2007-06-08
著者版フラグ
Version of Record
キーワード
シリコンカーバイド
イオン注入
電気特性
ダイオード
内容記述
信学技報 Technical Report of IEICE. ED2007-45
抄録
Alイオン注入4H-SiCについて、イオン注入層の電気特性とpnダイオード特性のイオン注入熱処理温度依存性について評価している。イオン注入は、Al濃度が3x10^<20>/cm^3、イオン注入層の厚さが約200nmであるBox様プロファイトなるように行っている。1900℃での熱処理にイオン注入層のシート抵抗は5.8kΩ/□、Ti/Alオーミック電極の接触抵抗率は2.5x10^<-5>Ωcm^2であった。同時に評価したpnダイオードでは、1,700および1800℃における熱処理で作製したダイドードはリーク電流が多く、pn接合界面にイオン注入欠陥の残留を示唆している。イオン注入されたAlの電気的活性化とともに1,900℃での高温熱処理が有効であることがわかった。
The electrical properties of p^+n 4H-SiC diode formed by Al ion implantation have been investigated as a function of annealing temperature. Al ions are implanted to fabricate p-type layer with a level of 3 x 10^<20>/cm^3 in the n-type epitaxial layer grown on n^+ 4H-SiC substrate. The Al implanted sample, annealed below 1800℃ shows the forward current including the resistive current components and the reverse current ranged in the order of 10^<-4> A/cm^2. The p^+n diode formed by annealing at 1900℃ reveals the reverse current as low as 10^<-6> A/cm^2. It is suggested that the annealing above 1900℃ is effective to reduce the implantation-induced defect at the interface between Al implanted p^+ layer and the underlying n-type epitaxial layer.
権利
Copyright (C) 2007, IEICE
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
資源タイプ
Article
書誌レコードID
AN10012954
インデックス
資料タイプ別
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学術雑誌論文
 > 
自然科学
301 学術雑誌論文
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自然科学
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